advanced
metallization
conference

チュートリアル講演　2026年10月7日（水）9:40～18:00

【チュートリアル 趣旨】

　生成AIを起点とする第三次AIブームの進展において、半導体技術が果たす役割は極めて重要である。中でも配線技術の進歩は、計算基盤の性能を左右する中核要素となっており、大規模言語モデル（LLM）や基盤モデルの学習・推論は、数千規模の演算ダイとHigh Bandwidth Memory（HBM）といったメモリを低遅延・超広帯域で接続するシステムとして成立する。これにより、巨大な単一チップ中心の設計から、配線を軸としたシステム指向のアーキテクチャへと転換が進んでいる。Logicの2 nm世代以降の微細化と並行し、BEOL、パッケージ、システム配線を一体化する配線技術の重要性は一層高まっている。本チュートリアルでは、基礎プロセス技術にとどまらず最新市場動向、先端デバイスインテグレーション、3D packaging技術までを俯瞰し、次の10年に向けた本質的課題とその解決の糸口を日本語で提供する。

ADMETA 2026 チュートリアル委員長
サンディスク合同会社　竹口直樹

(講演1)　9:45～10:30

■ 半導体市場の現状および今後の見通し

2026年の半導体市場および2027年に向けた展望について装置・材料の動向も交えながら報告する。

稲葉 雅巳 様

Affiliation

株式会社産業タイムズ社

Biography

2005年に株式会社産業タイムズ社に入社。以後電子デバイス産業新聞（旧・半導体産業新聞）の編集部記者として半導体・エレクトロニクス分野の取材活動を続ける。2015年から副編集長、2021年から編集長。

(講演2)　10:30～11:15

■ 2nm世代以降の次世代トランジスタ材料・構造　

2nm世代以降の次世代トランジスタ材料・構造として、GAA-NS-FETやBackside interconnectから3DSFET (CFET)や3D device fabricsなどについて議論する。

若林 整 様

Affiliation

東京科学大学

Biography

東京工業大学 大学院 修士課程修了、NEC(株) (MIT (2000-2021))とソニー(株)を経て、東京工業大学 工学院 電気電子系 教授 (地球インクルーシブセンシング研究機構 機構長(2018年4月-2022年3月), 評議員 (2022年4月-2023年6月)), 2023年7月より現在まで東京科学大学 総合研究院 集積Green-niX+研究ユニット 教授。 JST/さきがけ「情報担体」研究総括、日本MOT学会 副会長、技術研究組合 最先端半導体技術開発センター（LSTC）デバイス技術部門 副部門長、IEEE EDS Japan Joint Chapter Vice Chair, 日本学術会議 連携会員、応用物理学会・電子情報通信学会・エレクトロニクス実装学会各会員、博士(工学)。

(講演3)　11:15～12:00

■ 配線微細化に伴う層間絶縁膜の進化と構造・プロセスによる課題解決

配線の微細化に伴い　配線材料はALからCu、 さらにポスト配線材料 (Ru、 Moなど)へと進化し、層間絶縁膜もSi02からLow‐k膜、多孔質Low‐k膜、エアギヤツプヘと低誘電率化が進んできた。一方で、Low‐k材料に起因するプラズマダメージや機械的強度の低下、さらには配線の放熱性低下としつた課題が顕在化しており、構造設計や各プロセスの観点からさまざまな対策が講じられてきた。本請演では、層間絶縁膜の変遷を整理するとともに、その種類や構造の観点からの課題解決策と最新の技術動向について議論する。

宇佐美 達矢 様

Affiliation

Rapidus株式会社

Biography

1988年名城大学　学士修了、同年　NEC株式会社入社し、半導体の生産技術で、CVDユニットプロセスおよび、プロセス開発、主にLow-kプロセス開発、BEOLモジュール技術に従事（NECエレクトロニクス、ルネサスエレクトロニクスと会社名変更）、2022年に日本ASM株式式会社に入社、半導体CVDプロセス開発に従事、2023年Rapidus株式会社に入社し、半導体プロセス開発、主にBEOLインテグレーションおよび、ユニットプロセス開発に従事、現在に至る。現在、電子情報通信学会、SDM（Semiconductor Device Material）研究会の配線、実装関連の専門委員および、IITC (International Interconnect Technology Conference) 委員を務める。

(講演4)　13:00～13:45

■ 3次元集積AIプロセッサ技術

AIモデルの進化に伴い、メモリとプロセッサ間のデータ通信による電力消費が急増している。本講演ではAIモデルの進化によるAIプロセッサへの要求に対する変化と、3次元集積によりデータ通信電力を削減した3次元集積AIプロセッサ技術の動向と最新研究成果について述べる。

小菅 敦丈 様

Affiliation

東京大学

Biography

2012年慶應義塾大学理工学部電子工学科卒業、2014年同大学大学院理工学研究科電気工学科修士課程終了、2016年後期博士課程修了、博士（工学）の学位を取得。博士課程においてはモジュール集積技術および集積回路設計技術の研究に従事。2014年から2017年まで、慶應義塾大学にて日本学術振興会特別研究員を務めた。2017年から2020年まで日立製作所研究開発グループ、2021年にはソニー株式会社にてエッジAI技術の研究に従事。2021年、東京大学大学院工学系研究科附属システムデザイン研究センター（d.lab）に講師として着任。2025年より同大学大学院工学系研究科電気系工学専攻准教授。研究分野は、省エネルギーAIプロセッサ技術、および3次元チップ集積技術である

(講演5)　13:45～14:30

■ 先端3D集積/チップレットの要素技術

AI半導体やチップレット技術の進展に伴い、3D集積・先端パッケージ技術の重要性が急速に高まっている。本講演では、ハイブリッド接合、チップレット、光電融合実装などの最新研究開発動向を概観するとともに、材料・プロセス・信頼性。設計を横断した今後の技術課題と展望について解説する。

井上 史大 様

Affiliation

横浜国立大学

Biography

2011年～2021年ベルギーimecにて3Dパッケージングの研究に従事、2021年より横浜国立大学、2026年4月より教授。2024年4月より同大学、半導体量子集積エレクトロニクス研究センター副センター長に着任、2025年3月よりLSTC3Dパッケージング部門の副部門長。

(講演6)　14:45～15:30

■ SSDと棲み分けるHDD「執念」の技術経営

今年誕生70年を迎えるHDDは、SSDの猛追を受けながらも絶え間ない技術革新で、今やデータセンターに不可欠な基盤として成長を続けている。過酷な生存競争をなぜ生き抜くことができたのか。本セッションではSSDとの比較を通じ、その執念のビジネス戦略と技術的ブレイクスルーの両面から未来の展望を議論する。

酒井 浩志 様

Affiliation

株式会社レゾナック ハードディスク

Biography

1986年　早稲田大学大学院理工学研究科応用物理化学専攻修士課程修了
1986年　昭和電工(株)（現（株）レゾナック）入社
1991年　マサチューセッツ工科大学(MIT)　客員研究員
1993年　昭和電工エレクトロニクス事業本部ＨＤ工場
2007年　同社　ＨＤ事業部市原研究開発センター長、技術開発部長等を務める
2012年　同社　コーポレートフェロー　ＨＤ事業部門技術開発部長
2019年　同社　理事　デバイスソリューション事業部技術開発統括部長(HD+SiC)
2020年　同社　取締役　執行役員　最高技術責任者（ＣＴＯ）兼　昭和電工マテリアルズ(旧日立化成)　取締役
2022年　同社　取締役　常務執行役員　最高技術責任者（ＣＴＯ）兼 昭和電工マテリアルズ(株)　取締役　常務執行役員　最高技術責任者(ＣＴＯ)
2023年　 (株)レゾナック・ホールディングス フェロー
2025年　 (株)レゾナック・ハードディスク　アドバイザー（現職）
2025年 　(株)MORESCO社外取締役（現職）

学会活動
2023～2024　日本化学会副会長
2023～2024　電気化学会副会長
2025～　　　 電気化学会フェロー

(講演7)　15:30～16:15

■ グラフェン・二次元材料の多層配線応用

原子層物質であるグラフェンならびに二次元材料が半導体多層配線の微細化において期待される内容について解説する。

松本 貴士 様

Affiliation

東京エレクトロン株式会社

Biography

大阪大学大学院 工学研究科 附属超高温理工学研究施設で博士（工学）を取得後、ノースカロライナ州立大学 客員研究員、産業技術総合研究所 日本学術振興会特別研究員としてワイドバンドギャップ半導体材料に関する研究に従事し、現在、東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社 成膜技術開発センター グループリーダーとして、先端半導体製造装置への低次元物質：ナノカーボンならびに二次元材料 の実用化を目指した研究開発を担当している。 低次元物質の国際標準化活動へも積極的に取り組んでおり、電子情報技術産業協会（JEITA）ナノエレクトロニクス標準化専門委員会 委員長兼ナノカーボン標準化G主査、国際電気標準会議IEC/TC113（電気製品およびシステムのためのナノテクノロジー）と国際標準化機構ISO/TC229（ナノテクノロジー）の委員を務めている。

(講演8)　16:30～17:15

■ CMP要素技術の基礎と3D flash memory におけるCMPチャレンジ

CMPの基礎、半導体デバイスの進化に伴うCMP技術開発の経緯と今後の３D flash memoryの高性能化の為に必要となるCMPの将来技術について解説する。

成田 武憲 様

Affiliation

サンディスク合同会社

Biography

1992年 東京大学大学院工学系研究科　物理工学専攻　修士課程修了。
1995年 日立化成工業入社。塗布型層間絶縁膜材料、CMPスラリーの開発に従事。
2015年 サンディスク入社。CMPプロセス開発を担当し、現在はCMP開発のマネージャーを担当。

（講演9)　17:15～18:00

■ 3D Flash Memory Wafer to Wafer 接合技術およびその周辺技術

AIをはじめとする各種アプリケーションに必要となる3Dフラッシュメモリデバイスに対し、更なるPPACを実現するために開発された配線やCMOS directly Bonded to Array (CBA) 技術について解説する。

田上 政由 様

Affiliation

キオクシア株式会社

Biography

Masayoshi Tagami received the B.E. and M.E. degrees from Tokyo Institute of Technology (now Institute of Science Tokyo) in 1996 and 1998, respectively, and the Ph.D. degree in electrical engineering from Tohoku University in 2015. He joined NEC Corporation in 1998, where he worked on BEOL process integration for logic LSIs. In 2013 he joined Toshiba Corporation (now KIOXIA Corporation), focusing on BEOL process integration for 3D flash memory. He is currently Group Manager of the Advanced Memory Research and Development Group at KIOXIA Corporation. He has presented his work at several international conferences and serves on the committee of the IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC). His research interests include BEOL process integration and advanced memory technologies.