ADMETAPlus2024
Advanced Metallization Conference 2024
33rd Asian Session
チュートリアル講演
2024年10月2日 9:40～18:00 (JST) 受付開始：9:00
＊チュートリアルは日本語で行われます。
9:40-9:45 はじめに
講演① 9:45-10:30
ハイテク業界の明るい未来
モルガン・スタンレ－MUFG証券株式会社 和田木 哲哉 様
ハイテク業界は回復局面に入り、スマホ・パソコンといった従来主役だったアプリケーションに代わりAIが次への成長を強力に牽引していくことになる。日本はハイテク業界の再生に向けて待ったなしの状態になっている。今後の展望について語る。
講演② 10:30-11:15
先端ロジック半導体のデバイス技術
Rapidus株式会社 小林 正治 様
本講演ではGate-All-Around (GAA) Nanosheet トランジスタを中心とした先端ロジック半導体のデバイス技術について、その特徴を説明するとともに、課題と展望について説明する。
講演③ 11:15-12:00
Lithography 概論と最新の技術動向
Western Digital合同会社 白石 和宏 様
リソグラフィ-プロセス技術の概要と、微細化・高積層化に対応した、最新の技術動向について解説する。
12:00-13:00 休憩
講演④ 13:00-13:45
半導体産業・技術で働く我々は何を目指すか？ そして製造業で働くとは？
広島大学 青砥 なほみ 様
世界・日本の半導体をめぐる経済・技術の状況をあらためて検討し、今後の半導体産業・技術が進むべき方向を考える。また「製造業で働くとは？」につき、講師の経験と考えを、半導体を含む製造業で活躍する皆様、これから参加する学生各位に伝える。
講演⑤ 13:45-14:30
半導体産業の利益率分析
株式会社レゾナック 近藤 誠一 様
半導体産業にはシリコンサイクルや設備投資回収などの多くのリスクがあるが、30%を超える高い営業利益率を確保することもできる。 本講演では固定費産業と変動費産業のメリットを比較し、高利益率を生み出す条件を議論したい。
14:30-14:45 休憩
講演⑥ 14:45-15:30
Metallization for Memory Devices – Challenging High Bandwidth Memory
Micron Memory Japan, K.K. 横井 直樹 様
DRAM製品の配線技術の基礎について説明するとともに、近年の3D積層における課題を、最先端品であるHigh Bandwidth Memory(HBM)を例に取って議論する。
講演⑦ 15:30-16:15
プラズマエッチングプロセスの基礎と最先端微細加工技術
東京エレクトロン宮城株式会社 戸村 幕樹 様
半導体デバイス微細化および3次元化に貢献しているプラズマエッチングプロセスの一般的な概論からMemoryおよびLogicデバイス製造に用いられている最先端エッチングプロセス技術について紹介する。
16:15-16:30 休憩
講演⑧ 16:30-17:15
Metallization Challenges for 3D Flash Memory
キオクシア株式会社 野田 光彦 様
3Dフラッシュメモリの構造を概説した後、次世代3DフラッシュメモリのBEOL配線に求められている技術とそのプロセスインテグレーションチャレンジについて議論する。
講演⑨ 17:15-18:00
積層型CMOSイメージセンサの進化を牽引するプロセス技術
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 香川 恵永 様
CMOSイメージセンサの進化に貢献してきた積層プロセス（ウェハ積層、チップ積層、TSV、Cu-Cu接続等）について、最新の動向も盛り込みつつ解説を行う。
