日時：2017年10月18日
09:30-10:15
いまさら聞けないBEOL/MOLにおけるバリア材料の選び方
小池 淳一 (東北大学)
BEOL/MOLのバリア膜材料の選び方を金属学的観点から説明する。
10:20-11:05
14nmから5nmに向かうBEOL技術
野上 毅 (IBM Research)
量産に入った14nm、10nm BEOLプロセスを紹介し、次に、開発段階の7nm、5nm BEOLにおいて、配線抵抗と信頼性を両立させるCu配線延命努力、Co, Ru配線開発を紹介する。
11:10-11:55
CVD/ALDによる最新の絶縁膜プロセス
小林 伸好 (日本ASM)
CVD及びALD成膜プロセスの原理、装置概要、成膜材料、評価項目等の基礎を説明する。その後に、最新デバイスへの応用例としてFEOL用High-kゲート絶縁膜、BEOL用Low-k絶縁膜、微細パタン形成用の低温SiO2膜等のプロセス技術を紹介する。
13:00-13:45
激動の世界半導体業界
湯之上 隆 (微細加工研究所)
終焉を迎えると言われ続けている半導体の微細化は、台湾TSMCが10nmを量産しており、7～2nmのマイルストーンを発表している。そのTSMCは次世代露光機EUVを5nmから量産適用する。一方、iPhone用プロセッサのファンドリービジネスをTSMCから奪還したい韓国サムスン電子は、TSMCよりも早く、7nmからEUVを使う計画を明らかにした。そしてDRAMと3次元NANDが絶好調のサムスン電子は、1993年から世界半導体売上高1位に君臨してきた米インテルを抜き去る見込みである。日本では、東芝が債務超過を回避するために、東芝メモリを売却しようとしている。その結果、日本からメモリメーカーが消滅するかもしれない。当日は、激動の世界半導体業界のホットな話題をお話しする。
13:50-14:35
ドライエッチングの基礎からALEまで
野尻 一男(ラムリサーチ)
ドライエッチングのメカニズム、エッチングを支配するパラメータとその制御法について解説した後、最近ホットとなっているAtomic Layer Etching(ALE)の原理からSi, SiO2, GaNへの応用まで詳細に解説する。
14:40-15:25
メモリデバイスの基礎と最新技術動向
松崎 望（日立ハイテクノロジーズ）
各種メモリデバイスの構造・動作原理・位置付け・動向等を広く紹介するとともに， 3D NANDのデバイス技術とプロセスフローにスポットを当てて詳しく解説する。
15:40-16:25
CMPプロセス構築のポイントと新しい応用事例
澁木 俊一 (ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング)
1990年代初頭に適用が始まったCMP（chemical mechanical polishing）技術は、その後のLSIデバイスの微細化に伴って、高い平坦化能力を持ち、金属や絶縁膜除去速度の選択比が化学的にコントロールできるなど独自の加工特性を生かして、ドライエッチングやウェットエッチングと並ぶ、LSIデバイス製造における加工技術の主役へと発展した。本発表では、CMPプロセスのデバイス製造への適用という観点から、代表的な適用工程毎にプロセス構築のポイントを解説するとともに、化学的作用、機械的作用の両側面から、CMPの持つ特徴的な加工特性について具体的な事例を用いて紹介する。
16:30-17:15
半導体デバイスにおける配線信頼性の現状と課題
鈴村 直仁 (ルネサスエレクトロニクス)
半導体デバイスの配線信頼性の主要課題であるEM, SM,
IMD-TDDBに関する基礎、最新の話題、および今後の課題について紹介する。また微細化に伴い、近年信頼性課題として挙げられているMOL(middle of the line)信頼性についても紹介する。
※Tutorial講演は日本語で行われます。
講師、タイトルは予告なく変更されることがあります。
都合により、午前の講演順序を変更させていただきました（9月19日）
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