ADMETA 2025

Advanced Metallization Conference 2025

チュートリアル講演

2025年10月8日 9:40～18:00 (JST)　受付開始：9:00　

＊チュートリアルは日本語で行われます。

9:40-9:45　　

はじめに

講演①　9:45-10:30

大変革期に来た半導体産業

国際技術ジャーナリスト, セミコンポータル/News &Chips　津田健二　様

半導体産業がかつてないほどの大変化の波にのまれている。かつてトップ争いをしていたIntelとSamsungが没落し、NvidiaとTSMCが大きく伸びてきた。世界の全企業の時価総額ランキングにおいても半導体企業が３社も入り、社会的に大きな地位を占めてきている。Armが巨大なIPを扱うようになりデザインハウスを始めた。いまデザインハウスが脚光を浴びている。日本においては　ラピダスが2nmGAAトランジスタのみの技術から始める。日本には市場が大きいFinFET技術をベースにした設計技術が抜けていることになる。メモリではMRAM、PCRAM、RERAMなどがマイコンの40nmの壁を破るメモリとして集積化された。このような大きな変化をもたらす「見えざる手」は何か？を議論する。

講演②　10:30-11:15

2 nm以降の先端ロジックデバイス技術概要

Rapidus株式会社　新井　紳太郎　様

本講演では2nm及び2nm以降の先端ロジックデバイスに必要とされる技術の概要を、FEOL、MOL、BEOL、パッケージの領域に分けて説明する。

講演③　11:15-12:00

System Scaling 時代における半導体集積の多様化と技術経営戦略

日本工業大学/大阪大学（併任）　岡本和也　先生

先端半導体は前後工程の融合を通じて、集積化技術の多様化が加速している。これにより新たな産業構造への移⾏が進み、プレイヤーの構成も変容している。本講演では、System Scaling という視座から、我が国が競争優位を持つ製造装置・技術に焦点を当て、価値の観点から将来の事業戦略のあり方を考察する。

12:00-13:00 休憩

講演④　13:00-13:45

3D NANDフラッシュの開発ストーリーと半導体産業への提言

株式会社三菱ケミカルリサーチ　仁田山晃寛　様

3D NAND フラッシュの開発の背景と発明時および事業化における経緯と学び及び日本の半導体産業への提言を行う。

講演⑤　13:45-14:30

3D Flash memory 配線インテグレーションチャレンジ

サンディスク合同会社　竹口直樹　様

半導 NAND型3D flash memoryのBit高密度化に伴い　Logicの配線とは異なる細線化技術が必要となってくる。本講演では3D flash memoryの配線形成方法概要とその配線技術動向について解説する。

14:30-14:45   休憩

講演⑥　14:45-15:30

先端半導体デバイスで使われる薄膜成膜技術について

株式会社KOKUSAI ELECTRIC　芦原洋司　様

先端半導体デバイスで適用されている薄膜形成技術について概要を紹介する。また現在の立ち位置から将来に対し薄膜形成技術の発展について展望を述べる。

講演⑦　15:30-16:15

プラズマエッチングとイオン挙動

名古屋大学　豊田浩孝　先生

エッチングに用いられるさまざまなプラズマについて、イオン挙動を組成や角度拡がりの観点から述べる。

16:15-16:30    休憩

講演⑧　16:30-17:15

2.x D Package向け後工程材料の最新動向とインターポーザーパネル化における課題

株式会社レゾナック　池内孝敏　様

AI向け半導体のチップレット実装を可能とする2.xDパッケージ向け後工程材料の最新動向と今後の適用が見込まれるインターポーザーパネル化の課題を解説する。またレゾナックが手動する後工程共創の場における最新の取り組みを紹介する。

講演⑨　17:15-18:00

積層型CISを実現する３D積層プロセス

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社　香川恵永様

CMO CISの進化に貢献してきた積層プロセス（ウェハ積層、チップ積層、TSV 、Cu-Cu接続等）について　電気特性や要素信頼性の視点も加え解説を行う。