Advanced Metallization Conference 2021
30thAnniversary, Asian Session


チュートリアルプログラム
2021年10月12日（火）12:45～17:00
 12:45～13:00　チュートリアル開会の辞/注意事項

講演①　13:00～13:40
ハイテク市場の展望
　　野村證券株式会社　和田木 哲哉 様
コロナ禍でも大きく成長を続けるハイテク業界。今後の成長はどうなるのか展望を語る。

講演②　13:50～14:30
最先端配線におけるCVD/ALD材料の技術動向
　　日本エア・リキード合同会社　柳田 和孝 様
継続的な高密度化は、CVD/ALDプロセスとその使用材料に大きな進化をもたらしています。金属配線材料の抵抗減少だけでなく、パターニングなどプロセスフロー全体に及んでおり、新たな材料や技術の採用が必要となっています。

講演③　14:40～15:20
超絶プラズマエッチング技術の基礎から最新技術動向
　　名古屋大学　石川 健治 様
半導体デバイス製造を牽引している『超絶プラズマエッチング』について，これまでの実現とこれからの将来について最新技術動向を交えて紹介する。

講演④　15:30～16:10
CMPプロセスの最新技術動向
　　昭和電工マテリアルズ株式会社　近藤 誠一 様
半導体デバイスの微細化・三次元化・ウエハ積層化とともにCMPに求められるプロセス技術も多岐に渡っている。本講演では低スクラッチから超高速化、ハイブリッドウエハ接合での凹凸制御、樹脂研磨まで最新技術動向を紹介する。

講演⑤　16:20～17:00
Metallization Challenges in 3D NAND
　　Western Digital Corporation　竹口 直樹 様
3D NAND flash memory 概要とKey processの一つである配線技術について解説する。


2021年10月13日（水）9：10～12:20
 9:05～9:10　注意事項

講演⑥　9:10～9:50
ロジック回路の性能指標：Power, Performance, Area
　　IBM Research　筒井 元 様
CPUに代表されるロジック回路の基本性能指標である回路のスイッチング速度（Performance）、消費電力（power）、1チップあたりの面積（area）について基本的な考え方ならびに先端デバイスの動向について述べる。

講演⑦　10:00～10:40
CVD・ALD におけるプラズマの基礎
　　Lam Research Corporation　崎山 幸紀 様
本講演ではCVD及びALD技術におけるプラズマの基本的な特性と役割を解説する。

講演⑧　10:50～11:30
半導体パッケージと三次元集積化技術
　　国立研究開発法人 産業技術総合研究所　高橋 健司 様
半導体実装における三次元集積化技術について、半導体パッケージング技術の進化や最先端の技術について平易に解説する。

講演⑨　11:40～12:20
デバイス材料開発におけるインフォマティクスの応用と今後の展望
　　国立研究開発法人 物質・材料研究機構物質・材料研究機構　知京 豊裕 様
微細化と多機能化が進む半導体デバイスでは、材料開発が今後重要になるとされている。材料開発を加速する方法としてマテリアルズインフォマティクスが注目されているが、最近ではプロセスへの適用もはじまっている。講演では、今後の半導体材料開発の要件を紹介し、データ駆動型材料開発手法とその半導体材料開発への適用を概観する。
　　　チュートリアルは日本語で行われます。

　　　チュートリアル 　　30th記念講演 　　講演プログラム


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