日 時：2008年10月8日（水）
10:00--11:00
「Cu/Low-kインテグレーション技術の動向」
小田典明（Selete）
最新の技術動向を解説し，微細化，高性能化に向けた課題と方向性について考える。
11:00--11:45
「めっきの電気化学と配線・接点形成への応用」
近藤和夫（大阪府大）
電気めっきの基礎として，電流密度分布について述べる。またその応用として配線・接点材料の形状制御について述べる。
11:45--12:30
「ポーラスLow-k材料技術の現状と将来展望」
伊藤文則（NEC）
ULSI高性能化に不可欠なポーラスLow-k材料の最新動向と高信頼性化に向けた材料設計の将来展望を解説する。
12:30--13:30 休憩（昼食）
13:30--14:15
「パラダイムシフトする半導体市場とバックエンドプロセス装置/材料の動向」
武野泰彦（グローバルネット）
構造変化する半導体産業の中で，バックエンドプロセスも大きく変わろうとしている。その変化する市場の状況について概説する。
14:15--15:00
「CMP技術によるデバイス平坦化と今後の応用」
竪山佳邦（東芝）
現状のCMP技術の適用例と課題を総括すると共に，CMPの今後の広がりについて，最近の研究成果を基に紹介する。
※講演は，すべて日本語で行われます。
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