※講演 3）と講演7）の順番が変更になりました。
日 時：2013年10月7日（月）
1) 10:00--11:00（60分）
「Cu-Low Kインテグレーション技術の現状と将来動向」
大和田 保 富士通セミコンダクター（株）
Cu/Low-k技術開発の一般的な進め方について、(1)ITRSロードマップの推移、(2)搭載プロセスとフロー、(3)電気特性の評価方法、(4)将来の課題 を織り交ぜて説明する。
※講師が変更になりました。
2) 11:00--11:45 （45分）
「イメージセンサにおけるオンチップ光学系」
寺西 信一 兵庫県立大学、静岡大学
イメージセンサでは、集光、カラー化、その他の機能のために光学系をオンチップしており、それらについてレビューする。
3) 11:45--12:30（45分）
「SiCデバイスおよびプロセスの最新動向」
矢野 裕司 奈良先端科学技術大学院大学
パワーデバイスとして注目を集めているSiCデバイスおよびその作製プロセスについて、Siとの相違点を中心に、最新動向を解説する。
12:30--13:30 休憩（昼食）
4) 13:30--14:15（45分）
「半導体製造装置の市場動向」
和田木 哲哉 野村證券（株）
半導体製造装置市場は、歴史始まって以来の大転換の只中にある。半導体製造装置産業で何が起こっており、メーカー各社がどこへ向かうべきなのか、緊急提言する。
5) 14:15--15:00 （45分）
3D Staking with high density (106/cm2) interconnects; Challenges and Solutions
Sunil Wickramanayaka Institute
of Microelectronics
With in next couple of years, 3D staking
with interconnect pitch
< 10 micron is
inevitable. There are many
process and hardware
hurdles to meet this requirement.
Those issues,
solutions and current status
of enbaliing
technologies will be discussed.
15:00-15:20 休憩
6) 15:20--16:05 （45分）
「いまさら聞けないCVD」
河瀬 元明 京都大学
CVDプロセスの反応工学的モデリングについて解説する。CVD反応という現象、反応工学の基礎、モデリングのための実験方法等を説明する。
7) 16:05--16:50（45分）
「半導体デバイス製造における無電解メッキ／選択エッチングについて」
川島 敏 メルテックス（株）
半導体デバイス製造において量産実績のある無電解めっきプロセスおよびCu/Tiシード層の選択エッチングについて講演する。
8) 16:50--17:35（45分）
「半導体製造プロセス用 CMPの極意」
辻村 学 （株）荏原製作所
半導体製造プロセス用CMPの極意を授ける。ただし、CMPと言えばドライイン・ドライアウトが常識なので、ビルトイン洗浄、そしてダマシン技術も必要となる。研磨とめっきの極意を過去の歴史そしてトレビアを加味してお話しする。
※講演は，5) をのぞき日本語で行われます。
|
|
