チュートリアル講演
2022年10月12日 9:15～17:30 (JST)
 はじめに　9:15～9:20　
講演①　9:20～10:05　
シリコンウェーハからみた半導体市場動向
　　株式会社SUMCO　 小森 隆行 様
半導体の基板材料であるシリコンウェーハの視点から、半導体および半導体搭載製品について市場と技術の動向を考察する。

講演②　10:05～10:50　
リソグラフィ技術の基礎と最新動向
　　キオクシア株式会社　安藤 彰彦 様
半導体デバイスの微細化を牽引してきたリソグラフィ技術の基礎と最近の技術動向について解説する。

講演③　11:00～11:45　
CMPと洗浄の科学
　　株式会社フジミインコーポレーテッド　森永 均 様
デバイスの高集積化・低コスト化の進展に伴い、CMPと洗浄技術には常に進化が求められる。技術の進化を支えるのはその根底にあるサイエンスの理解である。本講演ではCMPと洗浄のメカニズム、並びに課題解決の考え方を解説する。

講演④　11:45～12:30　
Cu配線：埋め込み技術と高信頼性の確保
　　ルネサスエレクトロニクス株式会社　村中 誠志 様
Cuの微細配線の埋め込みに必要なスパッタとCuめっきプロセスの課題や対策を紹介するとともに、高信頼性を確保するための技術を紹介し説明する。

講演⑤　13:30～14:15　
メモリデバイス技術の現状と将来 ーDRAM と NAND フラッシュー
　　株式会社 日立ハイテク　松崎 望 様
既存構造を延命して微細化を推し進める DRAM, 積層数増加と多層化の進展により高集積化の道を進む 3D NAND フラッシュ。巨大市場を形作る両デバイスの現状と将来像をデバイス技術の視点から俯瞰する。

講演⑥　14:15～15:00　
反応性イオンエッチング（RIE）と原子層エッチング（ALE）技術の基礎と応用
　　大阪大学　浜口 智志 様
本講演では、反応性イオンエッチング（RIE）と原子層エッチング（ALE）の技術的背景と概要を述べた後、その表面反応機構の基礎から最先端応用までを解説する。特に、ALEに関して熱的およびプラズマ支援ALE研究の最新動向を議論する。

講演⑦　15:10～15:55　
CMOS デバイススケーリング技術の将来のトレンド
　　IMEC　堀口 直人 様
CMOSデバイスケーリングを続けるために、従来のピッチスケーリングに加えて、デバイス（FinFETからNanosheet、CFET）、配線（Front side interconnectからBack side power delivery、Back side interconnect）、チップ（3D-SIPから3D-IC）における微細な３次元化が重要になってくる。この講演では、将来の微細３次元化を用いたCMOSデバイススケーリングに必要な技術を議論する。

講演⑧　15:55～16:40　
PECVD・PEALDの基礎
　　日本エー・エス・エム株式会社　藤田 敏明 様
プラズマを使ったCVDおよびALDの成膜原理と半導体チップ製造における主な用途を解説する。

講演⑨　16:40～17:25　
三次元集積技術の技術動向
　　横浜国立大学　井上 史大 様
近年の三次元集積技術における技術トレンドを紹介し、その中でも重要となるプロセスに関して詳細を解説する。

おわりに　17:25～17:30　
チュートリアルは日本語で行われます。
チュートリアル    講演プログラム

特定商取引法に基づく表記