2013年10月に“Advanced Metallization Conference 2013: 23^rd Asian Session”(ADMETA^Plus 2013)が開催されます。本会議はULSIに用いる最先端配線技術の会議として25年以上の実績を有しており，1989年からは日本を中心としたアジアでの著しい技術進展を鑑み，米国と日本で毎年ほぼ同時期に開催しております。

今日では最小線幅50nm以下を目指したCu多層配線技術が活発に開発・実用化されており，Flash，DRAM等のメモリーへと応用範囲も広がっています。しかしLow-k/Cu配線では，エレクトロマイグレーションやLow-k膜の信頼性確保が依然として重要な課題であります。また，シリサイドやメタルゲートなど，トランジスタ周りでも新材料の導入が進められております。実装技術の微細化も急ピッチで進みつつある中で，Siチップと実装基板を含むシステムとしての統合的な配線技術の概念が求められています。中でも，三次元配線技術は，これからの方向性の一つとして注目されています。

これらの分野において，材料技術，配線設計，信頼性，装置，コスト等の観点で解決すべき課題は山積みです。本会議では，今後の電子デバイスの高性能化・高集積化にとってキーとなる配線技術を中心とした課題にフォーカスし，これらの課題の解決に向けて基礎から応用まで研究開発上のトピックスについて議論を行います。

さらに本年のセッションでは，従来形式の講演に加えて，4つの分野（Backend Device Technologies, Nanocarbon, 3D Challenges, CMP）においてオーガナイズドセッションを設け，より魅力的なプログラム構成を目指しております。

本会議を通して，配線技術とその関連分野の発展に寄与していきたいと考えております。

ADMETA^Plus 2013 委員長
小池 淳一（東北大学）

ADMETA^Plus 2013 論文委員長
伊藤 文則（東芝）