2010年10月に"Advanced Metallization Conference 2010: 20th Asian Session"(ADMETA 2010)が開催されます。本会議はULSIに用いる最先端配線技術の会議として20年以上の実績を有しており，1989年からは日本を中心としたアジアでの著しい技術進展を鑑み，米国と日本で毎年ほぼ同時期に開催しております。
今日では最小線幅50nm以下を目指したCu多層配線技術が活発に開発・実用化されており, Flash，DRAM等のメモリーへと応用範囲もより広がっています。しかし、Low-k/Cu配線ではLow-k膜とバリアメタル膜の信頼性確保が依然として重要な課題であり, かつ, 実装技術の微細化も急ピッチで進みつつあるなかで，Siチップと実装基板を含むシステムとしての統合的な配線技術の概念が求められています。また, シリサイドやメタルゲートなど，トランジスタ周りでも新材料の導入が進められている状況です。
これらの分野において，材料技術，配線設計，信頼性，装置，コスト等の観点で解決すべき課題は山積みです。本会議では，今後の電子デバイスの高性能化・高集積化にとってキーとなる配線技術を中心とした課題にフォーカスし，これらの課題の解決に向けて基礎から応用まで研究開発上のトピックスについて議論を行います。
さらに本年は，従来の配線技術の方向付けを議論する会議に加えて，ポストスケーリングの配線技術として活発に提案・開発が進められている「３次元配線技術」について議論するための『３D特別セッション』を開催いたします。本セッションでは、「３次元配線技術」の開発を精力的に行っておられる方々をお招きし、来るべき３次元配線の技術・課題, そしてその未来像を議論して頂く予定です。本会議を通して，配線技術の発展に寄与していきたいと考えております。

ADMETA 2010 委員長　近藤 誠一 （ルネサスエレクトロニクス）　
ADMETA 2010 論文委員長　近藤 英一 （山梨大学）
ADMETA 2010 広報委員長　小平 周司 （アルバック）