10:00-11:00 「Cu / low-k インテグレーション技術の現状と展望」松永範昭（東芝）
　　　　　　　　　近年の技術動向やロードマップを解析し、微細化と高性能化に向けた今後の技術課題と方向性について考える。

11:45-12:30　「ArFレジスト/Low‐k世代のエッチング・アッシングをどう考えるか?」林俊夫（名古屋大学）
　　　　　　　　　微細化の限界に近づくとともにレジスト、層間絶縁膜もエッチングにとって大変難しい材料が使われるようになってきた。
　　　　　　　　　　これらに対してどうアプローチしたらよいかエッチングの基本に戻って皆と一緒に考えてみたい。

12:30-13:30　昼食

13:30-14:15　「スパッタでつくる先端バリア・シード技術」清水紀嘉（富士通）
　　　　　　　　　　Cu配線のバリア・シードプロセスについて，従来から適用されているスパッタ技術を中心に，今後の動向などを紹介する。

14:15-15:00 「ナノめっきプロセスと微細配線形成」本間敬之（早稲田大学）
　　　　　　　　　インターコネクションに使われるめっき技術の基礎，特徴から事例までの解説と紹介をする。

15:00-15:45 「メタルCMP技術〜Cuダマシン配線形成のキーポイントは何か」菅井和己（NECエレクトロニクス）
　 　　　　　　Cuダマシン配線を形成する上で鍵となる，W CMP，Cu CMP技術について述べる。

15:45-16:00　休憩

16:00-16:45　「電子機器の高機能化がもたらす半導体の成長」山本 義継（UBS証券会社）
　　　　　　　　　　エマージング市場向けのローエンドの電子機器が半導体を引っ張る時代から欧米市場向けのハイエンド機が市場のけん引役へ。
　　　　　　　　　　メモリー，ロジック共に成長局面へ。

16:45-17:30 「BEOLのウェット・洗浄プロセスにおける課題と今後」青木秀充（大阪大学）
　　　　　　　　45nm世代Cu/LowKにおいてウエットプロセスがもたらす課題（コロージョン，吸湿など）と対策について解説する。

17:30-18:15 「Cu/Low-k配線の信頼性」中村友二（富士通研究所）
　　　　　　　　　Cu/Low-k配線のエレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション、ＴＤＤＢ信頼性に関し、現状と今後の課題を概括する。